58 minutes ago
3
Theo Tom's Hardware, các chip nhớ DDR5 do thương hiệu CXMT (Trung Quốc) sản xuất vừa được đẩy lên tốc độ hơn 8.800 MT/giây trên hệ thống sử dụng nền tảng AMD. Kết quả được ghi nhận với hai bộ nhớ có dung lượng khác nhau, cho thấy khả năng ép xung của chip CXMT đã tiến thêm một bước.
Trong thử nghiệm đầu tiên, bộ RAM 32 GB gồm hai thanh 16 GB sử dụng chip CXMT đạt DDR5-8812, với thời gian bộ nhớ CL42-54-54-127. Hệ thống thử nghiệm sử dụng bo mạch chủ Asus ROG Crosshair X870E Apex cùng bộ xử lý AMD Ryzen 7 9800X3D. Đây là bo mạch chủ hướng đến ép xung, với thiết kế hai khe DIMM nhằm tối ưu khả năng vận hành bộ nhớ ở tốc độ cao.
CPU-Z ghi nhận xung nhịp 4.406 MHz, tương ứng tốc độ DDR5-8812 cho thử nghiệm RAM DDR5 sử dụng chip CXMT trên nền tảng AMD
ẢNH: CHỤP MÀN HÌNH UNIKOSHARDWARE
Bộ RAM thứ hai có tổng dung lượng 48 GB, gồm hai thanh 24 GB, cũng sử dụng chip nhớ CXMT. Cấu hình này đạt DDR5-8817 với thông số CL42-56-56-134, nhỉnh hơn một chút so với bộ 32 GB. Điện áp DRAM được đặt ở mức 1,45 V trong cả hai trường hợp.
Các kết quả trên không đồng nghĩa RAM CXMT thương mại sẽ mặc định hoạt động ở DDR5-8800. Đây là thành tích ép xung trên hệ thống phần cứng chuyên dụng, nhưng vẫn cung cấp thêm dữ liệu về giới hạn hoạt động của chip nhớ do Trung Quốc phát triển.
Kết quả mới đưa chip CXMT đến gần hơn với khả năng ép xung của các sản phẩm từ SK hynix, nhà sản xuất có chip nhớ được sử dụng phổ biến trên những bộ DDR5 tốc độ cao. Trước đó, chip CXMT thường khó cạnh tranh ở phân khúc dành cho người dùng đòi hỏi hiệu năng và khả năng ép xung cao.
Điểm đáng quan tâm nằm ở công nghệ sản xuất của CXMT. Chip DDR5 của hãng được cho là sản xuất trên tiến trình 16 nm và sử dụng công nghệ quang khắc DUV. Trong khi đó, các nhà sản xuất bộ nhớ hàng đầu có khả năng tiếp cận những công nghệ chế tạo tiên tiến hơn, bao gồm EUV.
CXMT hiện không thể tiếp cận thiết bị quang khắc EUV do các hạn chế xuất khẩu công nghệ đối với Trung Quốc. Vì vậy, việc chip DDR5 của hãng có thể vượt mốc 8.800 MT/giây khi ép xung cho thấy CXMT vẫn cải thiện được khả năng vận hành của sản phẩm dù chịu giới hạn về thiết bị sản xuất.
Dù vậy, kết quả ép xung chưa đủ để khẳng định CXMT đã bắt kịp SK hynix. Những yếu tố như sản lượng, hiệu suất sản xuất, mức tiêu thụ điện, độ ổn định và khả năng đạt tốc độ cao trên sản phẩm thương mại vẫn cần được xem xét khi đánh giá năng lực cạnh tranh giữa các nhà sản xuất bộ nhớ.
